IPD600N25N3GATMA1 vs IPD60R1K0PFD7SAUMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD600N25N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD60R1K0PFD7SAUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD600N25N3GATMA1 | IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Series | OptiMOS 3 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 250 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 25 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 136 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 60 mOhm at VGS = 10 V | — |
| گیٹ تھریشولڈ وولٹیج | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +175 C | — |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab, SC-63) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount (Tape & Reel) | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | CoolMOS PFD7 Superjunction (SJ) MOSFET |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| ہیلوجن فری | Yes, per IEC 61249-2-21 | — |
| JEDEC Qualification | Qualified for target application | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 4.7 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 26 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 1 Ω @ VGS=10V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | ±20 V (max gate-source) |
| Gate Charge (QG) | — | 6 nC @ VGS=10V |
| Output Capacitance (Coss) | — | 230 pF @ 400 V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +150C (TJ) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (full enhancement) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Series | — | CoolMOS PFD7 consumer / superjunction |