IPD80R600P7ATMA1 vs IPD068N10N3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD80R600P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPD068N10N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPD068N10N3GATMA1 - 100V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD068N10N3GATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD80R600P7ATMA1 | IPD068N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 8 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 22 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 600 mΩ at VGS=10V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 60 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V (typical) | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | 20 mJ | — |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | 0.17 mJ | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +150 C | — |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS P7 super-junction | OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) |
| Polarity | N-Channel | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPD068N10N3GATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 90 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 6.8 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 150 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2.0 V to 4.0 V (typical) |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Packing | — | Tape & Reel (T/R) |
| Qualification | — | Industrial (non-automotive) |