IPD80R600P7ATMA1 vs IPD068N10N3GATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD80R600P7ATMA1 bằng Infineon và IPD068N10N3GATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPD068N10N3GATMA1 - 100V 90A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD068N10N3GATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD80R600P7ATMA1 | IPD068N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 8 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 22 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 600 mΩ at VGS=10V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 60 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V (typical) | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | 20 mJ | — |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | 0.17 mJ | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +150 C | — |
| Hộp | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS P7 super-junction | OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) |
| Polarity | N-Channel | — |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPD068N10N3GATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 90 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 6.8 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 150 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2.0 V to 4.0 V (typical) |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 C to +175 C |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Packing | — | Tape & Reel (T/R) |
| Qualification | — | Industrial (non-automotive) |