IPG16N10S461AATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG16N10S461AATMA1 tarafından Infineon ve IPG20N04S4L11ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPG16N10S461AATMA1 IPG20N04S4L11ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS™ trench OptiMOS-T2 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 16 A —
On-Resistance R_DS(on) typ. 61 mΩ —
Total Power Dissipation (Ptot) 29 W (T_C = 25°C) —
Configuration 2 N-Channel (Dual, separate) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Paket PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Terminal Count 8 —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (260C peak reflow)
RoHS Durumu Compliant Compliant (Green Product)
Built-in Body Diode Yes —
Channel Mode Enhancement —
FET Type — 2 N-Channel (Dual)
FET Feature — Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ 25C — 20 A per channel
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A — 11.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Maximum Power Dissipation (PD) — 41 W
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin