IPG16N10S461AATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPG16N10S461AATMA1 מאת Infineon ו IPG20N04S4L11ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPG16N10S461AATMA1 | IPG20N04S4L11ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Type | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Technology | OptiMOS™ trench | OptiMOS-T2 trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 16 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) typ. | 61 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 29 W (T_C = 25°C) | — |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual, separate) | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C |
| מארז | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Terminal Count | 8 | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (260C peak reflow) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant (Green Product) |
| Built-in Body Diode | Yes | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| FET Type | — | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | — | Logic Level Gate |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ 25C | — | 20 A per channel |
| R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A | — | 11.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 41 W |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |