IPL60R085P7AUMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPL60R085P7AUMA1 tarafından Infineon ve IPB60R040CFD7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPL60R085P7AUMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu — In Stock
Birim Fiyat (USD) — $5,19
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 39 A 50 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 85 mΩ at VGS=10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 154 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -40 °C to +150 °C —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
ESD Robustness (HBM) >2 kV (all pins) —
Technology CoolMOS P7 superjunction (7th generation) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Paket PG-VSON-4 (VSON-4, source-down) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC industrial —
Polarity N-channel —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS CFD7
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Güç Tüketimi (TC=25°C) — 227 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
MSL Seviyesi — 1
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin