IPL60R085P7AUMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPL60R085P7AUMA1 بذریعہ Infineon اور IPB60R040CFD7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPL60R085P7AUMA1 IPL60R085P7AUMA1 - 600V 85mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R085P7AUMA1 - 600V 85mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R085P7AUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPL60R085P7AUMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت — In Stock
فی یونٹ قیمت (USD) — $5.19
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 39 A 50 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 85 mΩ at VGS=10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 154 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -40 °C to +150 °C —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
ESD Robustness (HBM) >2 kV (all pins) —
Technology CoolMOS P7 superjunction (7th generation) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
پیکیج PG-VSON-4 (VSON-4, source-down) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC industrial —
Polarity N-channel —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS CFD7
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) — 227 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
MSL لیول — 1
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں