IPL60R085P7AUMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPL60R085P7AUMA1 מאת Infineon ו IPB60R040CFD7ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IPL60R085P7AUMA1 | IPB60R040CFD7ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | — | In Stock |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $5.19 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 39 A | 50 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) | 24 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 85 mΩ at VGS=10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 154 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -40 °C to +150 °C | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| ESD Robustness (HBM) | >2 kV (all pins) | — |
| Technology | CoolMOS P7 superjunction (7th generation) | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| מארז | PG-VSON-4 (VSON-4, source-down) | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC industrial | — |
| Polarity | N-channel | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS CFD7 |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 40 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 4 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| פיזור הספק (TC=25°C) | — | 227 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55°C to +150°C |
| Integrated Body Diode | — | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode |
| רמת MSL | — | 1 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Target Applications | — | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) |