IPL60R105P7AUMA1 vs IPD60R360P7SAUMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPL60R105P7AUMA1 tarafından Infineon ve IPD60R360P7SAUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPL60R105P7AUMA1 | IPD60R360P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 105 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | 137 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 45 nC | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| Paket | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Klorürsüz | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 9 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 360 mOhm (typ, VGS = 10 V) |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 41 W |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.0 V to 4.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Paket / Kas | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Pin Sayısı | — | 3 |