IPP075N15N3GXKSA1 vs IPB073N15N5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPP075N15N3GXKSA1 tarafından Infineon ve IPB073N15N5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPP075N15N3GXKSA1 | IPB073N15N5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) | OptiMOS 5 (superjunction trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) | 7.5 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] | — |
| Paket | PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) | PG-TO263-3-2 (D2PAK-3L, surface mount) |
| Montaj Türü | Through Hole | Surface Mount (SMD) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] | -55°C to +175°C (junction) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Lead-Free / RoHS | RoHS Compliant | — |
| Ordering Code Suffix | GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 114 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 7.3 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissition (PD) at Tc=25°C | — | 214 W |
| Packaging | — | Tape and Reel (suffix ATMA1) |
| Configuration | — | Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |