IPP075N15N3GXKSA1 vs IPB073N15N5ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPP075N15N3GXKSA1 מאת Infineon ו IPB073N15N5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPP075N15N3GXKSA1 | IPB073N15N5ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) | OptiMOS 5 (superjunction trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) | 7.5 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] | — |
| מארז | PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) | PG-TO263-3-2 (D2PAK-3L, surface mount) |
| סוג הרכבה | Through Hole | Surface Mount (SMD) |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] | -55°C to +175°C (junction) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Lead-Free / RoHS | RoHS Compliant | — |
| Ordering Code Suffix | GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) | — |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 114 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 7.3 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissition (PD) at Tc=25°C | — | 214 W |
| Packaging | — | Tape and Reel (suffix ATMA1) |
| Configuration | — | Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |