IPP600N25N3GXKSA1 vs IPD600N25N3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPP600N25N3GXKSA1 tarafından Infineon ve IPD600N25N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPP600N25N3GXKSA1 IPD600N25N3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 3 trench MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 250 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 25 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 60 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 136 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Paket / Kas TO-220-3 (PG-TO220-3-1) —
Montaj Türü Through Hole Surface Mount (Tape & Reel)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Reverse Recovery Time (trr) [DATA_NEEDED: trr typical value] —
Lead Free Status Lead Free / RoHS Compliant —
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
Part Series — OptiMOS 3
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 250 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 25 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 136 W
On-Resistance RDS(on) max — 60 mOhm at VGS = 10 V
Gate Eşik Voltage — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Paket — PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Klorürsüz — Yes, per IEC 61249-2-21
JEDEC Qualification — Qualified for target application

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin