IPP600N25N3GXKSA1 vs IPD600N25N3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPP600N25N3GXKSA1 بذریعہ Infineon اور IPD600N25N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPP600N25N3GXKSA1 | IPD600N25N3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 250 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 25 A | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 60 mOhm at VGS=10V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 136 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| پیکیج / کیس | TO-220-3 (PG-TO220-3-1) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Surface Mount (Tape & Reel) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C (junction) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Reverse Recovery Time (trr) | [DATA_NEEDED: trr typical value] | — |
| Lead Free Status | Lead Free / RoHS Compliant | — |
| پن کی تعداد | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Part Series | — | OptiMOS 3 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 250 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 25 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 136 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 60 mOhm at VGS = 10 V |
| گیٹ تھریشولڈ وولٹیج | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 C to +175 C |
| پیکیج | — | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| ہیلوجن فری | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |
| JEDEC Qualification | — | Qualified for target application |