IPT015N10NF2SATMA1 vs IPT008N06NM5LFATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPT015N10NF2SATMA1 tarafından Infineon ve IPT008N06NM5LFATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPT008N06NM5LFATMA1 - 60V 454A 0.8mΩ N-Ch MOSFET HSOF-8 | Infineon
IPT008N06NM5LFATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPT015N10NF2SATMA1 | IPT008N06NM5LFATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 315 A | 454 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 35 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 3.8 V at 267 µA | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 300 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Paket | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) | PG-HSOF-8 (single, flat-lead) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench, N-channel enhancement | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| Tek Darbe Yıldırım Enerjisi | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 5 / Linear FET |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Pulsed Dræn Akımı | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID] |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V | — | 0.8 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | 3.6 V (typ, 250 µA test) |
| Power Dissipation (Tc) | — | 278 W |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS) |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| REACH Status | — | Compliant |
| AEC-Q100 | — | not_qualified (industrial-grade by default) |