IPT015N10NF2SATMA1 vs IPT008N06NM5LFATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPT015N10NF2SATMA1 מאת Infineon ו IPT008N06NM5LFATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPT008N06NM5LFATMA1 - 60V 454A 0.8mΩ N-Ch MOSFET HSOF-8 | Infineon
IPT008N06NM5LFATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IPT015N10NF2SATMA1 | IPT008N06NM5LFATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 315 A | 454 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 35 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 3.8 V at 267 µA | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 300 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| מארז | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) | PG-HSOF-8 (single, flat-lead) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench, N-channel enhancement | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| אנרגיית מפולת בפולס בודד | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 5 / Linear FET |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| זרם ניקוז פועם | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID] |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V | — | 0.8 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | 3.6 V (typ, 250 µA test) |
| Power Dissipation (Tc) | — | 278 W |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS) |
| רמת MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| REACH Status | — | Compliant |
| AEC-Q100 | — | not_qualified (industrial-grade by default) |