IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs IQEH68NE2LM7UCGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 tarafından Infineon ve IQEH68NE2LM7UCGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 IQEH68NE2LM7UCGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) Max 25 V —
Continuous Drain Current (Ta) 54 A —
Continuous Drain Current (Tc) 422 A —
Maximum On-Resistance (Rds(on)) 0.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.7 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Maximum Junction Temperature +175 degrees C 175 °C
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 degrees C to +175 degrees C -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7)
Paket PG-TTFN-9-3 PG-TTFN-9-3 (surface mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 7 (Trench-Gate) OptiMOS 7 trench MOSFET
RoHS Durumu Compliant Compliant (per distributor listing)
Qualification Industrial grade per Infineon datasheet —
Series — OptiMOS 7
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta — 47 A
Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc — 338 A
Power Dissipation (PD) @ Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) @ Tc — 130 W
Gate Threshold Voltage Type — Logic-level (per OptiMOS 7 family)
On-Resistance Family — RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated)
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Packaging — Tape & Reel (per ATMA1 suffix)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin