IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs IQEH68NE2LM7UCGATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 توسط Infineon و IQEH68NE2LM7UCGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 IQEH68NE2LM7UCGATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) Max 25 V —
Continuous Drain Current (Ta) 54 A —
Continuous Drain Current (Tc) 422 A —
Maximum On-Resistance (Rds(on)) 0.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.7 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Maximum Junction Temperature +175 degrees C 175 °C
محدوده دمای کاری -55 degrees C to +175 degrees C -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7)
بسته‌بندی PG-TTFN-9-3 PG-TTFN-9-3 (surface mount)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 7 (Trench-Gate) OptiMOS 7 trench MOSFET
وضعیت RoHS Compliant Compliant (per distributor listing)
Qualification Industrial grade per Infineon datasheet —
Series — OptiMOS 7
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta — 47 A
Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc — 338 A
Power Dissipation (PD) @ Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) @ Tc — 130 W
Gate Threshold Voltage Type — Logic-level (per OptiMOS 7 family)
On-Resistance Family — RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated)
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Packaging — Tape & Reel (per ATMA1 suffix)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت