IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs IQEH68NE2LM7UCGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 بذریعہ Infineon اور IQEH68NE2LM7UCGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 IQEH68NE2LM7UCGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) Max 25 V —
Continuous Drain Current (Ta) 54 A —
Continuous Drain Current (Tc) 422 A —
Maximum On-Resistance (Rds(on)) 0.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.7 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Maximum Junction Temperature +175 degrees C 175 °C
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 degrees C to +175 degrees C -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7)
پیکیج PG-TTFN-9-3 PG-TTFN-9-3 (surface mount)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 7 (Trench-Gate) OptiMOS 7 trench MOSFET
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (per distributor listing)
Qualification Industrial grade per Infineon datasheet —
Series — OptiMOS 7
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta — 47 A
Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc — 338 A
Power Dissipation (PD) @ Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) @ Tc — 130 W
Gate Threshold Voltage Type — Logic-level (per OptiMOS 7 family)
On-Resistance Family — RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated)
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Packaging — Tape & Reel (per ATMA1 suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں