IQEH54NE2LM7UCGATMA1 vs IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQEH54NE2LM7UCGATMA1 tarafından Infineon ve IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V 440A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V 440A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQEH54NE2LM7UCGATMA1 IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 52 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 406 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 150 W —
Paket PG-TTFN-9-3 PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 2 V
On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (typical MOSFET range) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS 7 (trench)
Continuous Drain Current (ID) at TC — 440 A
Continuous Drain Current (ID) at TA — 57 A
Power Dissipation at TA — 2.5 W
Power Dissipation at TC — 150 W
Maximum On-Resistance (RDS(on)) — 0.46 mOhm
Polarity / Channel Type — Single N-Channel
Operating Mode — Enhancement-mode
Topology Suitability — Hard- and soft-switching

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin