IQEH54NE2LM7UCGATMA1 vs IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IQEH54NE2LM7UCGATMA1 מאת Infineon ו IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IQEH54NE2LM7UCGATMA1 | IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 52 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 406 A | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 150 W | — |
| מארז | PG-TTFN-9-3 | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | 2 V |
| On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS | [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (typical MOSFET range) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS 7 (trench) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 440 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 57 A |
| Power Dissipation at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC | — | 150 W |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.46 mOhm |
| Polarity / Channel Type | — | Single N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement-mode |
| Topology Suitability | — | Hard- and soft-switching |