IQEH54NE2LM7UCGATMA1 vs IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQEH54NE2LM7UCGATMA1 بذریعہ Infineon اور IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQEH54NE2LM7UCGATMA1 | IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 52 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 406 A | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 150 W | — |
| پیکیج | PG-TTFN-9-3 | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | 2 V |
| On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS | [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (typical MOSFET range) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS 7 (trench) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 440 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 57 A |
| Power Dissipation at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC | — | 150 W |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.46 mOhm |
| Polarity / Channel Type | — | Single N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement-mode |
| Topology Suitability | — | Hard- and soft-switching |