IRF1010ZPBF vs IRF3205ZSTRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF1010ZPBF tarafından Infineon ve IRF3205ZSTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF1010ZPBF IRF3205ZSTRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 75 A (Tc=25C) —
Power Dissipation (Pd) at Tc 140 W (Tc=25C) —
On-Resistance (Rds on) Max [DATA_NEEDED: Rds(on) max at 10V] (typ approx. 7.5 mOhm per Mouser listing) —
Total Gate Charge (Qg) 63 nC (typ, per Mouser listing) 76 nC
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Paket TO-220AB (3-pin + tab), Through Hole D2PAK (TO-263)
Configuration Single MOSFET —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Montaj Türü Through Hole Surface Mount
Qualification JEDEC industry standard qualification —
Avalanche Rating Improved repetitive avalanche rated —
RoHS Durumu Compliant (PBF = Pb-free) Compliant
Lead Status Lead Free —
Gate Threshold Voltage (Vgs th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
FET Type — N-Channel
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 110 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
Packaging — Tape & Reel (left reel)
MSL Seviyesi — 1
Body Diode — Avalanche-rated intrinsic

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin