IRF1010ZPBF vs IRF3205ZSTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF1010ZPBF بذریعہ Infineon اور IRF3205ZSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF1010ZPBF IRF3205ZSTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 75 A (Tc=25C) —
Power Dissipation (Pd) at Tc 140 W (Tc=25C) —
On-Resistance (Rds on) Max [DATA_NEEDED: Rds(on) max at 10V] (typ approx. 7.5 mOhm per Mouser listing) —
Total Gate Charge (Qg) 63 nC (typ, per Mouser listing) 76 nC
MOSFET Operating Mode Enhancement —
پیکیج TO-220AB (3-pin + tab), Through Hole D2PAK (TO-263)
Configuration Single MOSFET —
Maximum Junction Temperature 175 C —
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount
Qualification JEDEC industry standard qualification —
Avalanche Rating Improved repetitive avalanche rated —
RoHS اسٹیٹس Compliant (PBF = Pb-free) Compliant
Lead Status Lead Free —
Gate Threshold Voltage (Vgs th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
FET Type — N-Channel
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 110 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Packaging — Tape & Reel (left reel)
MSL لیول — 1
Body Diode — Avalanche-rated intrinsic

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں