IRF2805PBF vs IRFB4110PBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF2805PBF tarafından Infineon ve IRFB4110PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF2805PBF | IRFB4110PBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRF2805PBF | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET) | HEXFET (planar DMOS) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 75 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | 175 A (pulsed / package-limited) | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 4.7 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | 150 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 330 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| Paket | TO-220AB (3-pin, through-hole) | TO-220AB (through-hole) |
| Montaj Türü | Through Hole | Through Hole |
| RoHS Durumu | Compliant (Pb-free) | Compliant (Pb-free suffix) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C | — |
| Configuration | Single N-Channel MOSFET | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A (bond-wire limited) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | 3.7 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 370 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) |