IRF2805PBF vs IRFB4110PBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF2805PBF بذریعہ Infineon اور IRFB4110PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRF2805PBF | IRFB4110PBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRF2805PBF | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (IR MOSFET) | HEXFET (planar DMOS) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 75 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | 175 A (pulsed / package-limited) | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 4.7 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | 150 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 330 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| پیکیج | TO-220AB (3-pin, through-hole) | TO-220AB (through-hole) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (Pb-free) | Compliant (Pb-free suffix) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C | — |
| Configuration | Single N-Channel MOSFET | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A (bond-wire limited) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | 3.7 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 370 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) |