IRF7907TRPBF vs IRF9952TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7907TRPBF tarafından Infineon ve IRF9952TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF7907TRPBF IRF9952TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 9.1 A per channel at 25 C —
Pulsed Drain Current (IDM) Max 11 A —
On-Resistance (RDS(on)) Max 11.8 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.35 V (typ) —
Total Power Dissipation (PD) Max 2 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C -55C to +150C (junction)
Paket 8-SOIC (SO-8) 8-pin SOIC (SO-8), surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET (Infineon hexfet-style trench) IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET
Lead-Free Status Yes (PBF suffix) —
Packaging Tape & Reel (TR) —
RoHS Durumu Compliant Compliant (Pb-free, indicated by PBF suffix)
Channel Polarity N-Channel (both) —
Polarity / Configuration — Complementary N-Channel + P-Channel, dual MOSFET array
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — 30 V
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — -30 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 3.5 A
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 2.3 A
N-Channel R_DS(on) max — 0.10 ohm (at VGS = 10 V)
P-Channel R_DS(on) max — 0.25 ohm (at VGS = -10 V)
Total Package Power Dissipation (PD) — 2 W
Tape and Reel Packaging — Yes (TRPBF suffix)
Qualification — Consumer market

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin