IRF8734TRPBF vs IRFH5015TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF8734TRPBF tarafından Infineon ve IRFH5015TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF8734TRPBF IRFH5015TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Technology StrongIRFET™ (HEXFET) IR MOSFET (HEXFET)
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.5 mOhm —
Gate Charge (Qg) typ 20 nC —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Paket / Kas 8-SOIC (SO-8) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Avalanche Energy Rating Fully characterized avalanche voltage —
RoHS Durumu Compliant (PBF suffix) Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Lead-free (PBF suffix) —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating per J-STD-020] —
Packaging Tape & Reel (TR) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 31 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 33 nC
Power Dissipation (TA=25C) — 3.6 W
Power Dissipation (TC=25C) — 156 W
Gate Drive Voltage (VGS recommended) — 10 V
Paket — 8-PQFN (5x6) SuperSO8
Configuration — Single with built-in body diode
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C (TJ max)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin