IRF8734TRPBF vs IRFH5015TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF8734TRPBF מאת Infineon ו IRFH5015TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IRF8734TRPBF IRFH5015TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Technology StrongIRFET™ (HEXFET) IR MOSFET (HEXFET)
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.5 mOhm —
Gate Charge (Qg) typ 20 nC —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
מארז / Case 8-SOIC (SO-8) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C (junction) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Avalanche Energy Rating Fully characterized avalanche voltage —
סטטוס RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Lead-free (PBF suffix) —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating per J-STD-020] —
Packaging Tape & Reel (TR) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 31 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 33 nC
Power Dissipation (TA=25C) — 3.6 W
Power Dissipation (TC=25C) — 156 W
Gate Drive Voltage (VGS recommended) — 10 V
מארז — 8-PQFN (5x6) SuperSO8
Configuration — Single with built-in body diode
טמפרטורת פעולה — -55C to +150C (TJ max)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר