IRF8734TRPBF vs IRFH5015TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF8734TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFH5015TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF8734TRPBF IRFH5015TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Technology StrongIRFET™ (HEXFET) IR MOSFET (HEXFET)
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.5 mOhm —
Gate Charge (Qg) typ 20 nC —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
پیکیج / کیس 8-SOIC (SO-8) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Avalanche Energy Rating Fully characterized avalanche voltage —
RoHS اسٹیٹس Compliant (PBF suffix) Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Lead-free (PBF suffix) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating per J-STD-020] —
Packaging Tape & Reel (TR) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 31 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 33 nC
Power Dissipation (TA=25C) — 3.6 W
Power Dissipation (TC=25C) — 156 W
Gate Drive Voltage (VGS recommended) — 10 V
پیکیج — 8-PQFN (5x6) SuperSO8
Configuration — Single with built-in body diode
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55C to +150C (TJ max)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں