IRFB4020PBF vs IPP069N20NM6AKSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFB4020PBF tarafından Infineon ve IPP069N20NM6AKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFB4020PBF IPP069N20NM6AKSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 18 A —
Power Dissipation (PD) at TC 100 W —
RDS(on) Maximum 100 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum 20 V —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 1.43 C/W —
İşletim Jant Sıcaklığı 175 C (max) —
Paket TO-220AB (through-hole) PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab)
Montaj Türü Through Hole Through Hole
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead-Free (PbF suffix) Yes —
Market Qualification Consumer —
Recommended Use Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 136 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 15.3 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 6.9 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes
MSL Seviyesi — N/A (through-hole package)
Tab Connection — Electrically connected to Drain

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin