IRFB4020PBF vs IPP069N20NM6AKSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFB4020PBF bằng Infineon và IPP069N20NM6AKSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPP069N20NM6AKSA1 IPP069N20NM6AKSA1 - 200V 136A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPP069N20NM6AKSA1 - 200V 136A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPP069N20NM6AKSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFB4020PBF IPP069N20NM6AKSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 18 A —
Power Dissipation (PD) at TC 100 W —
RDS(on) Maximum 100 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum 20 V —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 1.43 C/W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động 175 C (max) —
Hộp TO-220AB (through-hole) PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab)
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Số chân 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead-Free (PbF suffix) Yes —
Market Qualification Consumer —
Recommended Use Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 136 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 15.3 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 6.9 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +175C
Trạng thái RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Cấp MSL — N/A (through-hole package)
Tab Connection — Electrically connected to Drain

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá