IRFB4020PBF vs IPP069N20NM6AKSA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IRFB4020PBF توسط Infineon و IPP069N20NM6AKSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IPP069N20NM6AKSA1 - 200V 136A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
IPP069N20NM6AKSA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IRFB4020PBF | IPP069N20NM6AKSA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 18 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 100 W | — |
| RDS(on) Maximum | 100 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Maximum | 20 V | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 1.43 C/W | — |
| دمای اتصال کاری | 175 C (max) | — |
| بسته‌بندی | TO-220AB (through-hole) | PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab) |
| نوع نصب | Through Hole | Through Hole |
| تعداد پایه | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Lead-Free (PbF suffix) | Yes | — |
| Market Qualification | Consumer | — |
| Recommended Use | Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 136 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 15.3 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3.8 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 6.9 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| محدوده دمای کاری | — | -55C to +175C |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| سطح MSL | — | N/A (through-hole package) |
| Tab Connection | — | Electrically connected to Drain |