IRFR3504ZTRPBF vs IRFR3607TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR3504ZTRPBF tarafından Infineon ve IRFR3607TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR3504ZTRPBF IRFR3607TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) 42 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) 1.8 V (logic-level) —
Total Gate Charge (Qg) typ 30 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 90 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +175°C —
Paket TO-252AA (DPAK) surface mount TO-252AA (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (N-Channel Silicon MOSFET) IR HEXFET (planar DMOS)
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi 1 (unlimited) —
Avalanche Rated Yes (improved repetitive avalanche rating) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 56 A
Calculated Die Drain Current — 80 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V
Total Gate Charge (Qg) — 56 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD, Tc) — 140 W
Thermal Resistance (RthJC) — 1.0 C/W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention)
Avalanche SOA — Fully characterized
RoHS / Lead-Free — Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin