IRFR3710ZTRPBF vs IRLR3410TRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR3710ZTRPBF tarafından Infineon ve IRLR3410TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR3710ZTRPBF IRLR3410TRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A 17 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] 60 A
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 18 mOhm —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W 79 W
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C -55C to +175C
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET
Paket TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (tape and reel)
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLR3410TRLPBF
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 105 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V]
Gate-Source Threshold VGS(th) typ — 2.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 22.7 nC
Gate Drive Level — Logic level (5V capable)
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free)
MSL Seviyesi — 1
Avalanche Rated — Yes (UIS tested)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin