IRFR3710ZTRPBF vs IRLR3410TRLPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFR3710ZTRPBF bằng Infineon và IRLR3410TRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF - 100V N-Channel 56A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3710ZTRPBF - 100V N-Channel 56A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3710ZTRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF - 100V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3410TRLPBF - 100V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3410TRLPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFR3710ZTRPBF IRLR3410TRLPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A 17 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] 60 A
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 18 mOhm —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W 79 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +175C -55C to +175C
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET
Hộp TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount (tape and reel)
Trạng thái RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLR3410TRLPBF
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 105 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V]
Gate-Source Threshold VGS(th) typ — 2.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 22.7 nC
Gate Drive Level — Logic level (5V capable)
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free)
Cấp MSL — 1
Avalanche Rated — Yes (UIS tested)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá