IRFR3710ZTRPBF vs IRLR3410TRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR3710ZTRPBF توسط Infineon و IRLR3410TRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR3710ZTRPBF IRLR3410TRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A 17 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] 60 A
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 18 mOhm —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W 79 W
دمای اتصال کاری -55C to +175C -55C to +175C
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (tape and reel)
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLR3410TRLPBF
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 105 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V]
Gate-Source Threshold VGS(th) typ — 2.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 22.7 nC
Gate Drive Level — Logic level (5V capable)
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free)
سطح MSL — 1
Avalanche Rated — Yes (UIS tested)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت