IRFR6215TRPBF vs IRFR6215TRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR6215TRPBF tarafından Infineon ve IRFR6215TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR6215TRPBF IRFR6215TRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -150 V -150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) -13 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 110 W —
On-Resistance (RDS(on) max) 0.295 ohm at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS max) [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C —
Paket TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Technology HEXFET (5th generation IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 1
RoHS Durumu Compliant (Lead-Free PBF suffix) Compliant
REACH Status Compliant —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -13 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 580 mOhm
Total Gate Charge (Qg) typ — 44 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Maximum Operating Junction Temperature — 175 C
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin