IRFS3006TRL7PP vs IRFS3107TRL7PP Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFS3006TRL7PP tarafından Infineon ve IRFS3107TRL7PP tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFS3006TRL7PP IRFS3107TRL7PP
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET™ planar) IR HEXFET (Planar DMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 240 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] —
On-Resistance RDS(on) max 2.1 mΩ (per Mouser snippet) —
On-Resistance RDS(on) typ 1.5 mΩ —
Gate Charge (Qg) 200 nC (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range]
Power Dissipation (PD) at Tc 375 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket D2PAK (TO-263), 7-Lead, Surface Mount D2PAK-7 (TO-263CB, 6 leads + tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Body Diode Intrinsic, avalanche-rated —
MSL Seviyesi 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
RθJC Thermal Resistance [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance] —
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 75 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 240 A (DigiKey) / 195 A (per package datasheet snippet)
Pulsed Dræn Akımı — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3 mOhm (Infineon) / 2.6 mOhm (Mouser)
Gate Charge (Qg) Typical — 160 nC
Maximum Power Dissition @ Tc=25C — 370 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C (junction)
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin