IRFS3006TRL7PP vs IRFS3107TRL7PP So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFS3006TRL7PP bằng Infineon và IRFS3107TRL7PP bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFS3006TRL7PP IRFS3006TRL7PP - 60V 240A N-Ch HEXFET MOSFET | D2PAK-7 | Infineon

IRFS3006TRL7PP - 60V 240A N-Ch HEXFET MOSFET | D2PAK-7 | Infineon

IRFS3006TRL7PP ✓ Hoạt động
Infineon
IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP - 75V 260A 3mOhm N-Channel MOSFET | Infineon

IRFS3107TRL7PP - 75V 260A 3mOhm N-Channel MOSFET | Infineon

IRFS3107TRL7PP ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFS3006TRL7PP IRFS3107TRL7PP
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET™ planar) IR HEXFET (Planar DMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 240 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] —
On-Resistance RDS(on) max 2.1 mΩ (per Mouser snippet) —
On-Resistance RDS(on) typ 1.5 mΩ —
Gate Charge (Qg) 200 nC (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range]
Power Dissipation (PD) at Tc 375 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 °C to +175 °C —
Hộp D2PAK (TO-263), 7-Lead, Surface Mount D2PAK-7 (TO-263CB, 6 leads + tab)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Body Diode Intrinsic, avalanche-rated —
Cấp MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
RθJC Thermal Resistance [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance] —
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 75 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 240 A (DigiKey) / 195 A (per package datasheet snippet)
Điện áp rò rỉ xung — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3 mOhm (Infineon) / 2.6 mOhm (Mouser)
Gate Charge (Qg) Typical — 160 nC
Maximum Power Dissition @ Tc=25C — 370 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +175C (junction)
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá