IRFS3006TRL7PP vs IRFS3107TRL7PP موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFS3006TRL7PP بذریعہ Infineon اور IRFS3107TRL7PP بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFS3006TRL7PP IRFS3107TRL7PP
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET™ planar) IR HEXFET (Planar DMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 240 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] —
On-Resistance RDS(on) max 2.1 mΩ (per Mouser snippet) —
On-Resistance RDS(on) typ 1.5 mΩ —
Gate Charge (Qg) 200 nC (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range]
Power Dissipation (PD) at Tc 375 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج D2PAK (TO-263), 7-Lead, Surface Mount D2PAK-7 (TO-263CB, 6 leads + tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Body Diode Intrinsic, avalanche-rated —
MSL لیول 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
RθJC Thermal Resistance [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance] —
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 75 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 240 A (DigiKey) / 195 A (per package datasheet snippet)
پلسڈ ڈرین کرنٹ — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3 mOhm (Infineon) / 2.6 mOhm (Mouser)
Gate Charge (Qg) Typical — 160 nC
Maximum Power Dissition @ Tc=25C — 370 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C (junction)
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں