IRFS3006TRL7PP vs IRFS3107TRL7PP مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFS3006TRL7PP توسط Infineon و IRFS3107TRL7PP توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFS3006TRL7PP IRFS3107TRL7PP
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET™ planar) IR HEXFET (Planar DMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 240 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] —
On-Resistance RDS(on) max 2.1 mΩ (per Mouser snippet) —
On-Resistance RDS(on) typ 1.5 mΩ —
Gate Charge (Qg) 200 nC (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range]
Power Dissipation (PD) at Tc 375 W —
دمای اتصال کاری -55 °C to +175 °C —
بسته‌بندی D2PAK (TO-263), 7-Lead, Surface Mount D2PAK-7 (TO-263CB, 6 leads + tab)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Body Diode Intrinsic, avalanche-rated —
سطح MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
RθJC Thermal Resistance [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance] —
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 75 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 240 A (DigiKey) / 195 A (per package datasheet snippet)
جریان درین پالسی — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3 mOhm (Infineon) / 2.6 mOhm (Mouser)
Gate Charge (Qg) Typical — 160 nC
Maximum Power Dissition @ Tc=25C — 370 W
محدوده دمای کاری — -55C to +175C (junction)
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت