IRLR3110ZTRPBF vs IRFR3411TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLR3110ZTRPBF tarafından Infineon ve IRFR3411TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRLR3110ZTRPBF | IRFR3411TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 42 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 14 mOhm | 44 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 15 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 140 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +175C | — |
| Paket | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET / Trench MOSFET | HEXFET Power MOSFET (IR) |
| MSL Seviyesi | 1 (Unlimited) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Lead-Free Plating | Yes (PBF suffix) | — |
| Klorürsüz | Yes | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | — | 32 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 130 W |
| Gate Charge (Qg) | — | 48 nC |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 C to +175 C |
| Pin Sayısı | — | 3 |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| dv/dt Rating | — | Dynamic dv/dt rated |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Lead-free, PBF suffix) |