IRLR3110ZTRPBF vs IRFR3411TRPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR3110ZTRPBF بذریعہ Infineon اور IRFR3411TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRLR3110ZTRPBF | IRFR3411TRPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 42 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 14 mOhm | 44 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 15 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 140 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +175C | — |
| پیکیج | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET / Trench MOSFET | HEXFET Power MOSFET (IR) |
| MSL لیول | 1 (Unlimited) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free Plating | Yes (PBF suffix) | — |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | — | 32 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 130 W |
| Gate Charge (Qg) | — | 48 nC |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 C to +175 C |
| پنز کی تعداد | — | 3 |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| dv/dt Rating | — | Dynamic dv/dt rated |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Lead-free, PBF suffix) |