IRLZ34NSTRLPBF vs IRFR5410TRRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLZ34NSTRLPBF tarafından Infineon ve IRFR5410TRRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLZ34NSTRLPBF IRFR5410TRRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 110 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) at VGS=5V 35 mOhm (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V drive compatible) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC 70 nC
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Power Dissipation (Tc) 68 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Paket D2PAK (TO-263), surface mount TO-252AA (DPAK)
Built-in Body Diode Yes —
Configuration Single with built-in diode —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Switching Frequency Optimization Below 100 kHz —
Cell Structure HEXFET planar (5th generation) —
Qualification JEDEC standard —
RoHS Durumu Compliant (Pb-free) —
Polarity — P-Channel
Technology — HEXFET (5th Generation)
VDS (Drain-Source Voltage) — -100 V
VGS (Gate-Source Voltage) — ±20 V
VGS(th) (Gate Threshold) — -2 V to -4 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at 100C]
RDS(on) max at VGS=-10V — 205 mΩ
RDS(on) typical at VGS=-10V — 26 mΩ (per Mouser listing for IRFR5410TRPBF)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 66 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin