IRLZ34NSTRLPBF vs IRFR5410TRRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLZ34NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFR5410TRRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF - P-CH 100V 13A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5410TRRPBF - P-CH 100V 13A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5410TRRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLZ34NSTRLPBF IRFR5410TRRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 110 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) at VGS=5V 35 mOhm (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V drive compatible) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC 70 nC
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Power Dissipation (Tc) 68 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
پیکیج D2PAK (TO-263), surface mount TO-252AA (DPAK)
Built-in Body Diode Yes —
Configuration Single with built-in diode —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Switching Frequency Optimization Below 100 kHz —
Cell Structure HEXFET planar (5th generation) —
Qualification JEDEC standard —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free) —
Polarity — P-Channel
Technology — HEXFET (5th Generation)
VDS (Drain-Source Voltage) — -100 V
VGS (Gate-Source Voltage) — ±20 V
VGS(th) (Gate Threshold) — -2 V to -4 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at 100C]
RDS(on) max at VGS=-10V — 205 mΩ
RDS(on) typical at VGS=-10V — 26 mΩ (per Mouser listing for IRFR5410TRPBF)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 66 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں