IS43TR16256AL-107MBLI vs H5TC4G63AFR-PBA Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IS43TR16256AL-107MBLI tarafından ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ve H5TC4G63AFR-PBA tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI ✓ Aktif
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IS43TR16256AL-107MBLI H5TC4G63AFR-PBA
Marka ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $3,98
Bellek Türü DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Bellek Boyutu 4 Gbit —
Organizasyon 256M x 16 256M x 16
Clock Speed 933 MHz —
Veri Hızı 1866 Mbps 1866 Mbps (PC3L-14900)
Access Time 20 ns —
Besleme Gerilimi 1.35V (backward compatible to 1.5V) —
Paket / Kas 96-TWBGA (9x13mm) —
Montaj Türü Surface Mount —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Number of Banks 8 8
Burst Length 8 and 4 8 and 4 (with burst chop)
On-Die Termination Yes —
RoHS Durumu Compliant —
Memory Interface Parallel —
Density — 4Gb
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Paket — 96-ball FBGA
Ball Pitch — 0.8mm
CAS Latency (CL) — 11, 12, 13
İşletim Sıcaklığı Aralığı — 0°C to +95°C (Tcase)
Arayüz — 16-bit I/O
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin