IS43TR16256AL-107MBLI vs H5TC4G63AFR-PBA So sánh

So sánh chi tiết song song của IS43TR16256AL-107MBLI bằng ISSI, Integrated Silicon Solution Inc và H5TC4G63AFR-PBA bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI ✓ Hoạt động
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IS43TR16256AL-107MBLI H5TC4G63AFR-PBA
Thương hiệu ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $3,98
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Kích thước bộ nhớ 4 Gbit —
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Clock Speed 933 MHz —
Tốc độ dữ liệu 1866 Mbps 1866 Mbps (PC3L-14900)
Access Time 20 ns —
Điện áp cung cấp 1.35V (backward compatible to 1.5V) —
Hộp / Vỏ 96-TWBGA (9x13mm) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount —
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Number of Banks 8 8
Burst Length 8 and 4 8 and 4 (with burst chop)
On-Die Termination Yes —
Trạng thái RoHS Compliant —
Memory Interface Parallel —
Density — 4Gb
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Hộp — 96-ball FBGA
Ball Pitch — 0.8mm
CAS Latency (CL) — 11, 12, 13
Khoảng nhiệt độ hoạt động — 0°C to +95°C (Tcase)
Giao diện — 16-bit I/O
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá