K4A4G085WD-BCTD vs K4A4G085WD-BCRC Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A4G085WD-BCTD tarafından Samsung Electronics ve K4A4G085WD-BCRC tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A4G085WD-BCTD | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Die Generation | D-die | — |
| Density | 4 Gb | — |
| Organizasyon | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Veri Hızı | 2666 Mbps/pin | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | 1.2 V |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +85C | — |
| Paket | 78-ball FBGA | FBGA-78 (TFBGA) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Arayüz | DDR4 (JEDEC-compatible) | Parallel |
| Speed Class | DDR4-2666 (PC4-21300) | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank-group architecture | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| CAS Gecikme | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |