K4A4G085WD-BCTD vs K4A4G085WD-BCRC So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A4G085WD-BCTD bằng Samsung Electronics và K4A4G085WD-BCRC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung
K4A4G085WD-BCRC ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A4G085WD-BCTD | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Die Generation | D-die | — |
| Density | 4 Gb | — |
| Tổ chức | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Tốc độ dữ liệu | 2666 Mbps/pin | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | 1.2 V |
| Nhiệt độ hoạt động | 0C to +85C | — |
| Hộp | 78-ball FBGA | FBGA-78 (TFBGA) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Giao diện | DDR4 (JEDEC-compatible) | Parallel |
| Speed Class | DDR4-2666 (PC4-21300) | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank-group architecture | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| Latency CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |