K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G085WB-BCPB Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G045WB-BCRC tarafından Samsung Electronics ve K4A8G085WB-BCPB tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 1.2V | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 1.2V | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G045WB-BCRC K4A8G085WB-BCPB
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $4,10
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Density 8 Gb —
Organizasyon 2G x 4 —
Speed 2400 Mbps —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V —
Process Technology Samsung B-die —
Arayüz CMOS, differential clock (CK/CK#) DDR4 SDRAM parallel interface
Refresh Cycles 8192 8192
Maximum Supply Current 211.7 mA —
İşletim Sıcaklığı 0 C to 85 C 0C to +85C
Paket 78-ball FBGA (PBGA78) 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length
Terminals 78 —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Key DDR4 Features Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset —
DLL Mode Timing specified for DLL-enabled operation —
RoHS Durumu Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Bellek Boyutu — 8 Gb
Memory Organization — 1G x 8
Besleme Gerilimi — 1.2 V
Max Clock Frequency — 1066 MHz
Max Access Time — 0.18 ns
Max Standby Current — 0.016 mA
Technology — CMOS, 8Gb B-die
Number of Terminals — 78
Operating Temperature Grade — Commercial (0C to 85C)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin